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第188章 极紫外光源研制成功了

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    此时,已经上午10点钟了。


    许黎看着试验台上的东西,终于是松了一口气。


    “终于做出来了!”


    然后他就瘫在椅子上,身心顿时放松了下来。


    毕竟这吸转器可没有那么容易搞定。


    需要尝试不同的吸收材料,对比参照实验,这样才能更大程度的处理碎屑污染。


    经过一番筛选后,许黎在小黑的帮助下,成功弄出一种合成材料,才达到不错的碎屑吸收效率。


    将其制成吸转器,可以将碎屑吸收,并且进一步的转化成电能。


    其中的构造可谓是复杂无比。


    这时,许黎听到身后有脚步走动的声音。


    李默的身影就出现在他身旁,看了试验台那一个环状装置顿时眼睛一亮。


    “校长,这吸转器搞出来了?”


    “嗯,可费了我不少的脑细胞,现在赶紧将光源搞出来看看吧!”


    许黎回道。


    “那好,我叫徐教授过来。”


    不久,徐华来到了实验室,对许黎做出来的吸转器亲自测试了一番,为此赞不绝口。


    “这下子太好了,我们可以不用之前的两种方案类,直接安装吸转器就可以了,这样极紫外光源就可以搞出来了!”


    徐华很是高兴地说道。


    “啊哈~那你们先搞着,我先去隔壁休息了,熬了一夜了,有问题再叫我!”


    许黎打了个哈欠。


    “好,那校长你先休息一下,后面的工作就交给我们把。”


    “嗯,好。”


    许黎实在困得不行了,就直接出了实验室去了隔壁的休息室休息,那里有临时打的床铺,专门给经常熬夜研究的科研工作人员休息用的,还准备了一些必要的常规药品和直饮水机,以防不时之需。


    许黎关上了门,闭上双眼,沉入梦境。


    而梦境之内,他就像一个旁观者,浮于梦里,看到了一个个心想事成的片段:


    国产极紫外光刻机横空出世、震惊世界,自己创办的燧人大学也正式进入了全国乃至世界的眼里,学子络绎不绝,仿佛汪洋大海般的,容纳这些孜孜不倦追求理想和智慧的学子....


    而后就是一段一段的模湖片段,因为速度很快,看不清发生了什么。


    但最后,他忽然辗转之间,来到群星之间,回首望去,一个星系在他眼前映现。


    那是太阳系,人类赖以生存的恒星系。


    而这时,一道流光似乎划破了星空,直入太阳系,带着宛如“彗星”的尾巴,消失不见了。


    “校长!校长!”


    忽然,一道兴奋而激动的声音在他耳边响了起来。


    许黎从梦境挣脱,睁眼之时,只见李默已经在床前站着了。


    许黎揉着惺忪的双眼,疑惑道:“怎么了?”


    “成功了!我们的极紫外光源研制成功了!”


    李默面色激动地道。


    许黎立扫困意,睁大了眼,“真的?我们一起去看看!”


    他也不顾李默了,直接离开休息室。


    等他来到实验室后,发现已经有不少人正围着一个机器,有些还在一边拿笔记本或电脑记录着什么数据。


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    “校长,你来了。”


    徐华见到许黎两人到了,挥手示意让其他人让出路来。


    许黎走过来一看,发现一个箱形装置已经静静地躺在试验场地中央。


    “这就是极紫外光源?成功了?”


    许黎疑惑道。


    “是的,我们已经成功将该光源研制出来了,再经过我们多次重复试验以及对比论证,现在,过程极紫外光刻光源已经完成了研制,加上我能独立设计的透镜物镜及其光学系统,其性能超过目前国汉斯猫的5倍左右,如果能够配合好的其他光刻机部件,那该组装完成的光刻机可以综合提升35%左右,可以制作性能优秀的5纳米芯片......”


    徐教授兴奋地解释道。


    他还从来没有相关,一个工业明珠上的皇冠的一个核心部件,就这样被他们攻克了。


    只要给他们时间,燧人科技也能挤进全球半导体顶尖玩家的殿堂,成为euv光刻机部件供应链的厂商之一。


    到时候也能在半导体领域上拥有自己的话语权,即使没有拥有全套的光刻机制造技术,但是起码不至于让国内这么的被动。


    “既然如此,我们也应该通知一下我们的盟友,想必他们也等急了。”


    许黎一笑。


    “好!”


    徐华应了一声。


    春城,长光电所


    陈所长此刻正愁着怎么改进光刻机呢。


    虽然之前已经通过花为的牵线搭桥和燧人科技搭上了,主要是合作改造现有光刻机。


    而这个改造的光刻机主要是28nm的光刻机,因为现在国内的光刻机也只能勉强达到28nm工艺。


    据魔都微电子透露,明年他们有望交付首台国产28纳米工艺浸没式光刻机。


    算是在刚好迈在高端光刻领域的门槛,也就是现在国内的光刻科技水平还停留在中端水平。


    根据光刻机工艺水平,光刻机主要划分为超高端、高端、中端、低端四个层次。


    首先,光源euv13.5nm、节点5nm\/7nm的光刻机是处于超高端层次的,全球只有amsl这一家公司可以组装制造。


    其次,光源arf+浸入式,节点在7~28nm处于高端层次的。


    最后,光源arf\/krf\/i-line,且节点是65nm+或90nm+的,分别处于中端、低端层次。


    注意,这里的arf\/krf指的是深紫外光刻光源。


    想要制作更好的的芯片,那就得造出更好的光源,比如极紫外光源(euv)。


    即使是这种arf 28nm光刻机和amsl公司最先进的euv5nm光刻机工艺有着天壤之别。


    但是也能将国内的光刻水平提升到世界先进水平,完全可以满足常见的射频芯片、蓝牙芯片、功放芯片、电器的驱动芯片等绝大部分逻辑芯片的要求,以及大部分数字芯片的要求。


    陈所长也听说三桑目前正在研究3nm芯片工艺的光刻机,也许很多人都以为很厉害,但是对于他这种业界的人自然知道其中的道道。


    现在的7nm或5nm芯片,不是从前的含义,最准确的是牙膏厂的命名,只是它也学坏了。


    芯片的纳米制程并不是真的几纳米,更多是一种更新迭代的说法。


    上一代可能是4nm,下一代根据摩尔定律乘以根号7,差不多3nm。


    以前的制程是指晶体管的宽度,现在则是晶体管的沟道宽度,就出了这种个位数的纳米制程。


    就像目前三桑研究的3nm光刻机,由于极紫外光刻技术受到光电效应的影响,可能其实际线精度在十几纳米或20纳米。


    不过这种纳米制程的芯片如果不用euv光刻机的话,也是弄不了的。


    虽然各厂家的命名方法各有所别,但也不是完全没有意义。


    长光机电所也在为接下来的14nm工艺光刻机刻苦攻坚。


    只是没有极紫外光源,想要做成这样的光刻机恐怕很难。


    “唉~”


    陈所长也知道这需要不长的时间,可能几年、几十年,甚至最坏的结果——失败。


    但是还是要继续攻研技术,要不然以后只能被人牵着牛鼻子走啊。


    就在陈所长满心忧愁的时候,一个电话响了起来,打断了他的思绪。


    他接起来一听,顿时眼睛睁瞪如灯笼般大小,惊声道:


    “什么?燧人科技的极紫外光源成功了?!”
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